光解水製氫（qīng）

布景技能及優勢

外表光電壓是固體外表的光生伏特效應，是光致電子躍遷的成果。

1876年，W.GAdam就發現了這一光致電子（zǐ）躍遷景象;

1948年才將這一光生伏特效應作為光譜檢查（chá）技能應用於半導體資料的特征參數和外表特（tè）性研討上，這種光譜技能稱為外表電壓技能（Surface Photovoltaic Technique，簡稱SPV）或外表光電壓譜（Surface Photovoltaic Spectroscopy，簡稱SPS）。外表（biǎo）光電壓技能是一種研討半導體特征參數（shù）的極佳途徑，這種辦法是經過對資（zī）料光致外表電壓的改動進行剖析來取（qǔ）得有關信息的。

1970年（nián），外表光伏研討取得重大突破，美國麻（má）省理工學院Gates教（jiāo）授的研討小組在用低於禁帶寬度（dù）能量的光照耀CdS外表時，曆史性的（de）首次取得入射光波（bō）長與外（wài）表光電（diàn）壓的譜圖，以此來斷定外表態的能級，然後形成（chéng）了外（wài）表光電壓這一新的研討測試手法。

SPV技能是活絡的固體外表性質研討的辦法之一，其特點（diǎn）是操作簡略、再現性好、不汙染樣品，不損壞樣品描摹，因而被廣泛應用於解析光電資料光生電荷做法的研討中。

SPV技能（néng）所檢查（chá）的信息主要是樣品表層（通常為幾十納米）的性（xìng）質，因而不受基底或（huò）本體（tǐ）的影響，這對光敏外表的性質及界麵電（diàn）子搬運進程的研討顯然很重要。因為外（wài）表電壓技能的原理是根據檢（jiǎn）查由入射（shè）光誘導的外表電荷的改變，其檢查活絡度很高，而憑借場（chǎng）誘（yòu）導外表光（guāng）電壓譜技能能夠用來測定半導體的導電類型（特別（bié）是有機半導體的導電類型）、半導體外表參數，研討納米晶體資料的光電（diàn）特（tè）性，了解半導體光激發電荷分離和電（diàn）荷搬運進程，完成半（bàn）導體（tǐ）的譜帶解釋，並為研討（tǎo）契合係統的光敏進程和（hé）光致界麵電荷搬運進程供（gòng）給可行性辦法。

半導體激光（guāng）器從某一安穩作業（yè）狀況過（guò）渡到另一安穩作業（yè）狀況的進程中所呈現的瞬態景象（xiàng），或（huò）對階躍電流的呼應。主要有激射推遲、張弛振蕩和自脈動。這些景象限製著半（bàn）導體激光（guāng）器振幅調製或頻率調製的功能（néng），特別是高調（diào）製速率。